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三星HBM3E芯片遇阻英偉達驗證關(guān)口，2026年戰(zhàn)略或迎重大轉(zhuǎn)向

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全球存儲芯片巨頭三星電子正面臨關(guān)鍵技術(shù)驗證的生死時速。據(jù)韓國業(yè)界消息，三星目標在2025年7月至8月間通過英偉達對12層HBM3E（高帶寬內(nèi)存）芯片的品質(zhì)驗證測試，若未能如期達標，其2026年HBM產(chǎn)品線戰(zhàn)略或?qū)⒈黄却蠓拚踔量赡軓氐追艞塇BM3E，轉(zhuǎn)而押注下一代HBM4技術(shù)。

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