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H20訂單破百萬引爆半導(dǎo)體 銅鎢稀土躍升算力新剛需

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英偉達(dá)H20芯片訂單破百萬臺,引爆半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與金屬材料的聯(lián)動(dòng)效應(yīng)。這款為中國市場定制的AI加速器(96GB HBM3內(nèi)存+4.0TB/s帶寬),憑借銅互連工藝(導(dǎo)電效率較鋁制程提升30%)和CoWoS封裝技術(shù)(依賴鎢塞、鈦/氮化鈦?zhàn)钃鯇樱苿?dòng)高純銅濺射靶材、鎢材需求激增。

英偉達(dá)H20芯片訂單破百萬臺,引爆半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與金屬材料的聯(lián)動(dòng)效應(yīng)。這款為中國市場定制的AI加速器(96GB HBM3內(nèi)存+4.0TB/s帶寬),憑借互連工藝(導(dǎo)電效率較鋁制程提升30%)和CoWoS封裝技術(shù)(依賴鎢塞、鈦/氮化鈦?zhàn)钃鯇樱?,推?dòng)高純銅濺射靶材、鎢材需求激增。
值得注意的是,H20訂單增長與中國稀土磁鐵出口量大漲形成共振——AI服務(wù)器永磁電機(jī)、高精度傳感器高度依賴鐠、釹等稀土元素,而中國掌控全球90%以上釹鐵硼磁體產(chǎn)能,稀土戰(zhàn)略價(jià)值再度凸顯。
半導(dǎo)體制造中,金屬材料已從耗材升級為關(guān)鍵支撐:
硅:70%晶圓產(chǎn)能集中于12英寸硅片,超高純鋁靶材(≥99.999%)是金屬化核心;
銅:電鍍銅技術(shù)替代PVD,3D IC封裝與HBM堆疊推動(dòng)電鍍液市場年增16.8%;
鎢:5nm以下節(jié)點(diǎn)中,CVD鎢薄膜用量增40%,鉭擴(kuò)散阻擋層需求同步上升;
稀土永磁:光刻機(jī)精密運(yùn)動(dòng)控制需磁能積超300kJ/m³的釹鐵硼,鏑、添加可耐受150℃以上高溫;
電鍍銅:TSV封裝中,納米級銅沉積精度拉動(dòng)電鍍液市場規(guī)模逼近50億元。
短期看,美聯(lián)儲政策成變量:若加息預(yù)期強(qiáng)化,美元走強(qiáng)或壓制銅、鈀等工業(yè)金屬價(jià)格;若釋放鴿派信號,通脹預(yù)期升溫將提振稀土永磁及貴金屬避險(xiǎn)需求。H20訂單爆發(fā)背后,是銅、鎢、稀土等金屬材料從產(chǎn)業(yè)鏈幕后走向前臺的價(jià)值重估。

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